BC17X, BC25X – INCEPUTURILE PRODUCTIEI IN ROMANIA, IPRS BANEASA
Fabricarea dispozitivelor semiconductoare din siliciu la IPRS Baneasa

Sectia 2500, denumita ulterior "Fabrica de tranzistori de silicon si diode de semnal mic", a fost ultima unitate de productie infiintata in IPRS Baneasa in 1974, pentru a livra dispozitive discrete de siliciu solicitate in principal de intreprinderea ELECTRONICA pentru fabricarea de aparate radio si TV.

Ca si celelalte sectii de productie din IPRS Baneasa, departamentul 2500 a inceput productia prin achizitionarea a doua licente importante: licenta pentru fabricarea diodelor Varicap de la compania ITT-Intermetall din Freiburg, Germania si licenta pentru producerea 2N3055, tranzistoare de putere de la Solitron Devices Inc, West Palm Beach, SUA.

Ambele licente au inclus tehnologia si echipamentele pentru fabricarea microcipurilor de siliciu, pentru incapsularea acestora si testarea electrica finala. Pornind de la aceasta baza tehnologica, personalul tehnic de la Sectia 2500 a proiectat, dezvoltat si pus in productie o gama larga de dispozitive semiconductoare din siliciu.

Inceputurile productiei familiilor de tranzistoare BC17x, BC25x in Romania

In aceeasi perioada de pornire s-a depus mult efort pentru a dezvolta primele cipuri de tranzistori de putere mica: de tip NPN (BC170) si de tip PNP (BC250).

La inceput, aceasta sarcina parea relativ simpla, constand in adaugarea unei difuzii de baza in plus, ca evolutie a procesului de la procesul licentiat pentru dioda varicap.

Dar aceasta s-a dovedit a fi o adevarata provocare. Motivul a fost sensibilitatea ridicata a bazei tranzistorului dopat, la defecte de cristal si la contaminarea ionica cu oxid, mult mai mare decat in jonctiunea diodei puternic dopate.

Problemele intalnite la inceputurile fabricatiei familiei de tranzistoare BC170, BC250

Pentru tranzistoarele NPN, principala problema a fost castigul de curent extrem de mic, de doar cateva unitati, la curenti mici de colector (10 μA) iar pentru cele PNP canalele parazite din jonctiunea baza-colector.

Conducerea IPRS (director general ing. Anton Vatasescu) a pus cercetatorii sub presiune constanta din cauza cererii puternice din partea clientului principal, intreprinderea ELECTRONICA.

In cele din urma, un proces de "proiectare a experimentelor" a dat parametrii specificati si mai multe familii de tranzistori de putere mica au putut fi calificate si livrate clientilor dornici.

Primele tranzistoare NPN (familia BC17x) au fost dezvoltate de catre ing. Nicolae Camen si primele tranzistoare PNP (familia BC25x) de ing. Sorin Georgescu.

Caracteristicile tehnice ale BC170, BC170A, BC170B, BC170C

Technical specifications	BC170	BC170A	BC170B	BC170C
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si
Polarity	NPN	NPN	NPN	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	20 V	20 V	20 V	20 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	20 V	20 V	20 V	20 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5 V	5 V	5 V	5 V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	60 MHz	60 MHz	60 MHz	60 MHz
Collector Capacitance (Cc)	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	35	35	80	200
Package	TO92	TO92	TO92	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC171, BC171A, BC171B, BC171C

Technical specifications	BC171	BC171A	BC171B	BC171C
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si
Polarity	NPN	NPN	NPN	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	45 V	45 V	45 V	45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	45 V	45 V	45 V	45 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	6 V	6 V	6 V	6 V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	125	125	240	450
Package	TO92	TO92	TO92	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC172, BC172A, BC172B, BC172C

Technical specifications	BC172	BC172A	BC172B	BC172C
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si
Polarity	NPN	NPN	NPN	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	125	125	240	450
Package	TO92	TO92	TO92	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC173, BC173A, BC173B, BC173C

Technical specifications	BC173	BC173A	BC173B	BC173C
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si
Polarity	NPN	NPN	NPN	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	125	125	240	450
Package	TO92	TO92	TO92	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC174, BC174A, BC174B

Technical specifications	BC174	BC174A	BC174B
Material of Transistor	Si	Si	Si
Polarity	NPN	NPN	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	64 V	64 V	64 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	64 V	64 V	64 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	125	125	240
Package	TO92	TO92	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC175

Technical specifications	BC175
Material of Transistor	Si
Polarity	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	30 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	125 °C
Transition Frequency (ft)	150 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	100
Package	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC177, BC177A, BC177AP, BC177B, BC177BP, BC177C, BC177CSM, BC177DCSM, BC177P, BC177V, BC177VI

Technical specifications	BC177	BC177A	BC177AP	BC177B	BC177BP	BC177C	BC177CSM	BC177DCSM	BC177P	BC177V	BC177VI
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	no data	no data	45 V	45 V	45 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V	5V	5V	no data	no data	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	no data	no data	175 °C	175 °C	175 °C
Transition Frequency (ft)	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz	100 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz
Collector Capacitance (Cc)	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	no data	no data	7 pF	7 pF	7 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	70	120	120	180	180	380	180	180	70	50	75
Package	TO18	TO18	TO92	TO18	TO92	TO18	LCC1	LCC2	TO92	TO92	TO18

Caracteristicile tehnice ale BC178, BC178A, BC178AP, BC178B, BC178BP, BC178C, BC178CP, BC178P, BC178V, BC178VI

Technical specifications	BC178	BC178A	BC178AP	BC178B	BC178BP	BC178C	BC178CP	BC178P	BC178V	BC178VI
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V	5V	5V	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
Transition Frequency (ft)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Collector Capacitance (Cc)	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	70	120	125	180	240	350	450	75	50	75
Package	TO18	TO18	T092	T018	T092	T018	T092	T092	T092	T018

Caracteristicile tehnice ale BC179, BC179A, BC179AP, BC179B, BC179BP, BC179C, BC179CP, BC179P, BC179V, BC179VI

Technical specifications	BC179	BC179A	BC179AP	BC179B	BC179BP	BC179C	BC179CP	BC179P	BC179V	BC179VI
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V	5V	5V	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
Transition Frequency (ft)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Collector Capacitance (Cc)	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF	7 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	70	120	120	180	180	380	380	70	60	75
Package	TO18	TO18	TO92	TO18	TO92	TO18	TO92	TO92	TO18	TO18

Caracteristicile tehnice ale BC250, BC250A, BC250B, BC250C

Technical specifications	BC250	BC250A	BC250B	BC250C
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	20 V	20 V	20 V	20 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	20 V	20 V	20 V	20 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	35	35	80	200
Package	TO92	TO92	TO92	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC251, BC251A, BC251B, BC251C, BC251CA

Technical specifications	BC251	BC251A	BC251B	BC251C	BC251CA
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.25 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.05 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	125 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	100 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz	50 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	125	120	240	450	450
Package	TO92	TO92	TO92	TO92	TO106

Caracteristicile tehnice ale BC252, BC252A, BC252B, BC252C, BC252CA

Technical specifications	BC252	BC252A	BC252B	BC252C	BC252CA
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.25 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	20 V	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	20 V	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.05 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	125 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	125	120	250	450	450
Package	TO92	TO92	TO92	TO92	TO106

Caracteristicile tehnice ale BC253, BC253A, BC253B, BC253C, BC253CA

Technical specifications	BC253	BC253A	BC253B	BC253C	BC253CA
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.25 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	20 V	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	20 V	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.05 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	125 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz	50 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	125	120	240	450	450
Package	TO92	TO92	TO92	TO92	TO106

Caracteristicile tehnice ale BC254, BC254A

Technical specifications	BC254	BC254A
Material of Transistor	Si	Si
Polarity	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.25 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	100 V	30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	55 V	25 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.05 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	no data	60 MHz
Collector Capacitance (Cc)	no data	10 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	50	150
Package	TO92	TO18

Caracteristicile tehnice ale BC255, BC255A

Technical specifications	BC255	BC255A
Material of Transistor	Si	Si
Polarity	NPN	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.625 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	100 V	30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	55 V	25 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.03 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	175 °C	175 °C
Transition Frequency (ft)	no data	60 MHz
Collector Capacitance (Cc)	10 pF	10 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	50	235
Package	TO92	TO18

Caracteristicile tehnice ale BC256, BC256A, BC256B

Technical specifications	BC256	BC256A	BC256B
Material of Transistor	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	64 V	64 V	64 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	64 V	64 V	64 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	100 MHz	75 MHz	75 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	125	120	240
Package	TO92	TO92	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC257, BC257A, BC257B, BC257V, BC257VI

Technical specifications	BC257	BC257A	BC257B	BC257V	BC257VI
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.28 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	70	120	180	50	75
Package	TO92	TO92	TO92	TO92	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC258, BC258A, BC258B, BC258C, BC258VI

Technical specifications	BC258	BC258A	BC258B	BC258C	BC258VI
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	70	70	120	380	75
Package	TO92	TO92	TO92	TO92	TO92

Caracteristicile tehnice ale BC259, BC259A, BC259B, BC259C

Technical specifications	BC259	BC259A	BC259B	BC259C
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si
Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	20 V	20 V	20 V	20 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	20 V	20 V	20 V	20 V
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5V	5V	5V	5V
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
Transition Frequency (ft)	130 MHz	130 MHz	130 MHz	130 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	70	120	200	380
Package	TO92	TO92	TO92	TO92

Bibliografie:

http://www.link2nano.ro
https://alltransistors.com/
De asemenea, multumim colegului Nicolae Dicu pentru pozele macro.

SECȚIA DE ASIGURAREA CALITĂȚII PRODUSELOR IPRS Băneasa

O condiţie de supravieţuire a unei întreprinderi care produce componente

electronice cu tehnologii complexe este existenţa unui sistem de calitate eficient în toate etapele procesului de producţie. Asta înseamnă depăşirea vechiului concept despre calitate, care consta doar în conformitatea unui produs cu o normă sau un standard, prin încercări efectuate pe produsul final și introducerea conceptului de ingineria calității . Valoarea mare a investiţiilor în tehnologii, costul ridicat al materiei prime şi al procesului de producţie fac necesară analiza şi evaluarea calităţii pe etape tehnologice şi scoaterea din fabricaţie – pe parcurs – a tuturor componentelor potenţial necorespunzătoare. Asta înseamnă plasarea punctelor de control pe toată linia tehnologică, defalcarea normelor de produs pe faze tehnologice, elaborarea unor metode specifice de încercări, culegerea şi prelucrarea informaţiilor în timp real, crearea unor baze de date şi stabilirea măsurilor ce se impun.

Deceniul 1960-1970 a fost al electronicii de larg consum la care componentele produse conform licențelor achiziționate au corespuns perfect. Deceniul 1970–1980 a fost al electronicii profesionale, care a necesitat componente mai performante.

Una din primele măsuri luate la IPRS Băneasa, pe această linie, a fost înfiinţarea în 1976 a Laboratorului de screening. Screeningul consta dintr-o secvenţă de încercări mecano-climatice şi de durată semnificative, care evidenţia prin teste de evaluare rapidă fiabilitatea unui anumit lot şi permitea eliminarea componentelor potenţial defectabile . Experienţa acumulată în IPRS Băneasa a permis, la acea dată, alcătuirea unei biblioteci de defecte caracteristice şi de mecanisme de defectare asociate, activitate foarte importantă pe întreg lanțul de la cercetare și proiectare până la fabricația curentă a fiecărui produs.

Corespunzător destinaţiei aparatelor electronice s-au definit în mod arbitrar nivele de calitate pentru aplicaţiile profesionale:

- aplicaţii la care întreţinerea şi reparaţiile se pot executa rapid, iar timpul de

întrerupere nu este un factor critic;

- aplicaţii la care întreţinerea şi reparaţiile pot fi executate, dar sunt costisitoare;

- aplicaţii la care întreţinerea şi reparaţiile sunt foarte dificile sau imposibile, iar fiabilitatea este imperativă.

Aceste nivele de calitate, conforme cu standardele internaţionale de calitate

pentru componente profesionale – CEI, MIL-SDT ş.a. au generat:

-programul de asigurarea calităţii componentelor pe fiecare nivel de calitate şi

- programul de verificare a calităţii, de asemenea specific fiecărui nivel;

Trecerea de la fabricaţia de componente standard la componente profesionale a fost realizată pe etape: - întâi prin sortarea componentelor din producţia curentă pe destinaţii - produse de uz curent şi speciale - şi apoi trecerea la producţia de componente speciale. În toate etapele screeningul a fost de un real ajutor.

Istoric vorbind, până la abordarea problemei componentelor profesionale, au fost parcurse câteva etape premergătoare. Iniţial au fost livrate COMPONENTE SORTATE SPECIAL, care asigurau o calitate de conformitate superioară componentelor normale, prin sortări speciale şi programe de verificare a calităţii. Programul de elaborare a acestor componente, a fost denumit Programul Galben, 413 acesta asigura componentelor o calitate la recepție, o stabilitate a parametrilor în funcționare și o fiabilitate superioare față de a componentelor normale. Începând din anul 1977 au fost livrate în cadrul Programului Galben componente fabricate pe cele mai evoluate şi stabile linii de producţie ale întreprinderii. Programul Galben a fost un program hibrid, mai evoluat decât cel pentru componentele normale, dar sub primul nivel profesional.

În paralel, din 1976 a început cercetarea și ulterior asimilarea de

COMPONENTE PROFESIONALE . Programul de asigurare a calităţii

componentelor profesionale a prezentat câteva puncte comune, independent de tipul tehnologiei, astfel:

1. Măsuri tehnologice destinate realizării unei calităţi superioare, care au implicat nu doar cercetarea și proiectarea de produs ci și asigurarea unor tehnologii superioare (puritatea atmosferei şi a fluidelor, etalonarea, şi reglarea utilajelor);

2. Metode de selecţie 100% post încapsulare pentru eliminarea din lot a exemplarelor potenţial defectabile, ca urmare a unor încercări climatice, mecanice, funcționale, inspecţie cu raze X etc. fiind mai evoluată pentru nivele de calitate ridicată;

3. Documentarea şi analiza datelor pentru diagnoza şi remedierea defectelor.

Din anii 1979 – 1980 IPRS Băneasa a început asimilarea şi a livrat componente profesionale, nivelul I de asigurare a calităţii (P I), aparţinând principalelor familii de diode şi tranzistoare de mică şi medie putere (planare, diode şi tiristoare).

Asimilarea nivelelor superioare P II şi P III a fost o decizie politică datorită necesității unor investiții suplimentare pe fluxul de producție și control. Însă implicarea IPRS în programe speciale de mare importanţă naţională – cum a fost Programul nuclear sau Programul pentru echipamente de zbor, Programul de aparatură militară, Programul Metrou ș.a. au făcut necesară şi oportună abordarea nivelelor P II şi P III de calitate. Au existat 9 programe speciale diferite.

IPRS BANEASA:

Scurt istoric cu infiintarea si etapele Intreprinderii de piese radio si semiconductoare Baneasa.

Materialele care au stat la baza acestei succinte prezentări legate istoricul Uzinelor Electronica sunt articolele publicate de PRO RADIO ANTIC (Asociația Colecționarilor de Aparate Radio din România): istoricul Societății Anonome Române Philips ( S.A.R. Philips ) -
Receptoare românești; Aradul (A.F.A. adică: Atelierul Flesch Arad) și începuturile producției indigene de radioreceptoare (autor Francisc Visky) și Mărturii la 50 de ani de la înființarea “Uzinelor Electronica” autor-prof. dr. ing. Dumitru Felician Lăzăroiu.
 O scurtă istorie a electronicii în România:
 În 1925 - Institutul Electrotehnic din București a construit primul radioreceptor românesc performant cu tuburi care a permis recepția postului de radio Viena. Acest eveniment se întâmpla
după 25 de ani de la prima transmisie vocală prin radio.
 În 1927 - Apare în registrul comerțului Societatea Anonimă Română Philips (S.A.R.
Philips) având ca obiect de activitate comerțul cu aparate de radio, articole electrotehnice, lămpi
de radio, difuzoare.
 În 1931 - Inginerul I.C. Florea, licențiat în “fizico-chimice” și redactor șef al revistei
“Radio și Radiofonia” publică prin editura RAMURI din Craiova cartea “Toate Tainele
Radiofoniei” – manual complet de T.F.F. cu o prefață de Prof. Dr. Dragomir Hurmuzescu.
NOTĂ: T.F.F. este prescurtarea de la Telegrafie Fără Fir.
De notat căteva expresii și...curiozități ale vocabularului acelor ani: bobină de SELF; grila triodei
era denumită GRĂTAR, deci lampă cu grătar; valoarea condensatoarelor se exprima în
centimetri (Vezi cartea CONDENSATOARE autori Ion Ristea și F. Stan, Ed. Tehnică 1964
(pagina 6), 1 cm = 1.11 pF, Explicația este dată în cartea menționată: “capacitatea de un 
13
centimetru reprezintă capacitatea unei sfere cu raza de un centimetru”. Această unitate de
măsură se poate exprima și sub formă de fracție, 1cm = 10/9 pF; vezi pagina 10 din
ÎNDREPTARUL RADIO, autor Liviu A. Macoveanu, Editura Tehnică, București,1959.
 În cartea “Toate Tainele Radiofoniei” în capitolul “Detecția prin cristal” referindu-se la
GALENĂ (PbS, sulfură de plumb) se sublinează faptul că PbS naturală este un cristal negativ
(în conducție directă curentul trece de la vârf spre cristal) iar PbS artificială face parte din grupa
cristalelor pozitive. (în conducție directă curentul trece de la cristal spre vârf) - pagina 107. Se
mai menționează faptul că materialul folosit pentru vârf nu trebuie să se oxideze. Amintesc faptul
că plumbul (Pb) face parte din grupa ”carbonului” iar sulful (S) din a “oxigenului”, mai la dreapta
de grupa “donorilor”. Un exemplu elocvent de diodă semiconductoare care vine în sprijinul
acestei argumentări este dioda SnTe (Sn, staniu - grupa 4; și Te, telur, grupa 6).
 Profesorul Dragomir Hurmuzescu este considerat ctitorul radiofoniei românești. S-a stins
din viață la vărsta de 91 de ani în anul 1954.
 În 1933 - se înființează la Oradea o fabrică de asamblare a radioreceptoarelor Philips cu
pierse aduse din Olanda. După un an în 1934 această fabrică se mută în București. Tot în acest an
apar două noi agenții (S.A.R. Philips) la Timișoara și Cluj.
 În perioada 1935÷1945 la Arad a funcționat AFA (Aterlierul Flesch Arad) care a dezvoltat
o producție indigenă de radioreceptoare. Tuburile electronice erau importate în special de la
Tungsram și Philips.
 În 1937 luna Martie - sediul fabricii S.A.R. Philips este în strada Luterană nr.6 - București
dar în luna aprilie se mută în strada Episcop Chesarie nr.19.
 În 1938 s-a cumpărat un teren (28.000 mp) situat în strada Baicului 92/96 (actualmente
nr.82) iar producția aparatelor de radio a început în toamna anului 1938.
 În 1948 la 11 iunie fabrica trece în proprietatea statului, se naționalizează. Noul director
este Vasile Nistorescu iar în 29 octombrie numele intreprinderii devine Fabrica Radio Popular. În
această fabrică au fost reunite atelierele Philips, Radiomet, Starck și Tehnica Medicală.
 Totuși, undeva prin 1957, trebuie amintită și producția de radioreceptoare de la
“Întreprinderea Grigore Preoteasa” care ulterior devine Uzinele Electromagnetica.
 Începând cu luna iulie 1958 și până în1964 este numit director la Fabrica Radio Popular
inginerul Dumitru Felician Lăzăroiu. La solicitarea lui se schimbă denumirea Fabricii Radio
Popular în Uzinele Electronica (în ianuarie 1960).
 Are loc o fisiune, din uzinele Electronica se vor desprinde pe rând în anul:
 1962 - I.P.R.S. Băneasa din care se va transfera la Electroargeş I.P.E.E., (Întreprinderea de
Produse Electronice și Electrocasnice) Curtea de Argeș, fabricația rezistențelor (ceramice,
bobinate), termistoare, capacitățile pe suport ceramic și polistiren.
 1968 - la I.P.R.S.-Băneasa se pun bazele Institutului de Cercetări pentru Componente
Electronice (I.C.C.E.).
 1972 - Tehnoton Iași care va produce electrocasnice și aparate de radio, casetofoane,
magnetofoane.
 1982 - Uzinele Electronica se separă. O întreprindere cu sediul în Bd. Dimitrie Pompei pe platforma Pipera care va avea ca obiect de activitate producția de televizoare (alb-negru si color),
radioreceptoare, combine muzicale, incinte acustice. Ea devine cunoscută sub numele de
Intreprinderea Industrială de Stat Electronica sau prescurtat: Electronica Pipera.
“Uzinele Electronica” care își aveau sediul pe str. Baicului a devenit “Intreprinderea de
Electronica Industrială” sau prescurtat: Electronica Baicului.
NOTĂ: am găsit pe internet traducerea în limba română din engleză a expresiei : “ HAM 14 RADIO“. Ea a fost tradusă în limba română cu “RADIO ȘUNCĂ”! Pe site-ul Wikipedia
folosind cuvintele cheie: “Amateur radio (also called ham radio)” găsiți mai multe amănunte...
referitor la această traducere “amatoricească”, (vezi “#NOTĂ” aflată înainte de Glosar tehnic).
 Se poate afirma că “boom”-ul electronicii în România a fost generat de producția aparatelor
de radio, în primă fază. Pentru a ne referi la faza următoare de dezvoltare a electronicii pe bază de
semiconductori: diode, tranzistoare, tiristoare, circuite integrate bipolare și unipolare (MOS).
Merită de subliniat dezvoltarea industriei de semiconductori în alte țări din lagărul socialist:
 R.S. Cehoslovacă (Rožnov; la Piešťany, în Slovacia), echivalentul I.P.R.S.-ului era
TESLA;
 R.P. Polonia echivalentul I.P.R.S.-ului era UNITRA, cu fabrică la Wrocław licență cumpărată din Franța, în aceeași perioadă cu noi;
 R.P. Ungaria, unde după incendiul la blocul de fabricație a structurilor, își vor păstra halele de montaj și măsurători finale, la Gyöngyös.
 La această listă adaug R.P. Bulgaria (la Kyustendil, Sofia) și Republica Democrată Germană (la Frankfurt pe Oder).
Nu am menționat facilitățile din U.R.S.S. Deosebirea esențială dintre produsele din U.R.S.S și tările menționate erau la produsele finite. Distanța dintre terminale circutelor integrate (C.I.)
fabricate de sovietici era de 2.50 mm iar ale C.I. fabricate de ceilalți membri C.A.E.R. era de 2.54mm (0,1 inch).
 Pentru circuite integrate cu un număr redus de terminale eroarea era “acoperită” de dimensiunea găurilor din cablaj. Pentru circuite mari - mă refer la capsule DIL (Dual in Line package) eroarea era semnificativă. Soluția sugerată a fost : “faceți gaura mai mare !” Aceeași diferență apărea și la celelalte dimensiuni ale capsulei, unde se foloseau multipli de 2.54 mm iar
sovieticii 2.50mm. Concluzia este că “valul” dezvoltării industriei de semiconductori a cuprins toate țările din lagărul socialist începând cu deceniul șase din secolul XX.
 Istoria fabricației de componente electronice, active și pasive, în special componentele pe bază de semiconductori din România, în primă fază pe bază de Germaniu (Ge) a început prin anii 1954÷1955 și este legată de numele lui Stere Roman, conferențiar la Catedra de Electronică, (șef de catedră fiind profesorul Tudor Tănăsecu) a Facultații de Electronică și Telecomunicații (înființată în anul universitar 1953-1954) din cadrul Institutului Politehnic București.
Profesorul Stere Roman a făcut parte din Comitetul de Dezvoltare Industrială a Republicii Populare Române (R.P.R.).

Balauta Marius

Parteneri/Colaboratori

05 aprilie 2023

2393. INCEPUTURILE PRODUCTIEI IN ROMANIA, IPRS BANEASA (preluare)